Рефераты. Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов

№ образца

Температура,°С

Время диффузии, мин

 Li, мкм

xji, мкм

Среднее значение xj, мкм

1

950

20

190

0,340

0,35

195

0,359

200

0,377

190

0,340

195

0,359

2

40

240

0,543

0,55

240

0,543

240

0,543

245

0,566

245

0,566

3

60

270

0,688

0,69

265

0,663

270

0,688

275

0,713

270

0,688

4

80

295

0,820

0,83

295

0,820

295

0,820

300

0,849

295

0,820

По результатам, приведенным в таблице 3.2, можно построить график зависимости xj от времени диффузии.

Рис. 3.2. Зависимость глубины залегания p – n перехода от времени проведения диффузии (Т=950°С).


3.3. Исследование твердого планарного источника на основе нитрида бора


Диффузия с использованием твердого планарного источника носит также название диффузии из параллельного источника, так как  полупроводниковые пластины кремния и твердый источник размещаются параллельно друг другу.

Для исследований был взят кремний n-типа (111) с удельным сопротивлением ρ = 2 Ом∙см.

Особенностью твердого планарного источника на основе BN является то, что перед проведением процесса диффузии его необходимо окислить, чтобы на поверхности образовался тонкий слой B2O3. Во время  проведения процесса диффузии пары B2O3 переходят в газовую фазу, реагируют с кремнием с образованием слоя боросиликатного стекла, из которого уже и идет диффузия бора в кремний.


Окисление твердого планарного источника на основе нитрида бора проводилось в диффузионной печи в атмосфере воздуха при температуре 950°С в течение 40 – 60 мин.

Расстояние между пластинами кремния и твердым источником нитрида бора выбиралось равным 1 –1,5 мм.

Диффузия проводилась в  диффузионной печи в атмосфере воздуха, где пластины с источником выдерживались заданное время. Для исследований было взято двенадцать образцов, чтобы выявить зависимость глубины залегания p – n перехода не только от времени проведения, а также и от температуры проведения процесса.

Результаты по испытанию твердого планарного источника на основе нитрида бора приведены в таблице 3.3.

Таблица 3.3.

Зависимость глубины залегания p – n перехода от времени проведения диффузии для ТПИ на основе нитрида бора

№ образца

Температура,°С

Время диффузии, мин

Li, мкм

xji, мкм

Среднее значение xj, мкм

1

920

20

145

0,198

0,2

145

0,198

150

0,212

145

0,198

150

0,212

2

40

180

0,396

0,32

185

0,323

190

0,345

180

0,306

180

0,306



Продолжение таблицы 3.3.

№ образца

Температура,°С

Время диффузии, мин

Li, мкм

xji, мкм

Среднее значение xj, мкм

3

920

60

240

0,543

0,54

240

0,543

235

0,520

240

0,543

240

0,543

4

80

275

0,713

0,7

275

0,713

275

0,713

270

0,687

275

0,713

5

950

20

205

0,396

0,40

210

0,416

210

0,416

205

0,396

205

0,396

6

40

260

0,638

0,63

260

0,638

255

0,613

255

0,613

260

0,638

7

60

300

0,849

0,85

300

0,849

300

0,849

295

0,821

305

0,878

Продолжение таблицы 3.3.

№ образца

Температура,°С

Время диффузии, мин

Li, мкм

xji, мкм

Среднее значение xj, мкм

8

950

80

335

1,058

1,06

335

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.