где D – диаметр шара.

Рис. 2.3. Пояснение к способу изготовления сферического шлифа.

Точность измерений описанным методом составляет примерно ± 3 % и определяется в основном тщательностью приготовления и окрашивания шлифа. От глубины приникновения шара в кремний точность в первом приближении не зависит, однако рекомендуется делать шлиф таким образом, чтобы внутренняя окружность имела малый (по сравнению с внешней) диаметр, т.е. шлиф должен быть неглубоким. Для повышения точности измерений обычно делают несколько (2 – 5) шлифов и результат усредняют [6].

Для установки ЕТМ 2.600.047 диаметр стального шара составляет 26,5 мм. Подставляя это значение в формулу (2.1) получим эмпирическую формулу пересчета глубины залегания p – n перехода от значения хорды L:

                       , [мкм]                             (2.2)

где L – длина хорды, [мкм].

3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ БОРОМ И         ФОСФОРОМ И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ

В данном разделе будет проведено исследование нескольких поверхностных источников для диффузионного легирования кремния, также будет рассмотрен твердый планарный источник бора – нитрид бора. Кроме поверхностных источников на основе простых неорганических соединений  рассмотрен источник на основе легированного окисла.

Контроль параметров осуществлялся путем определения глубины залегания p – n перехода (xj) методом сферического шлифа. Методика измерений такова: на пластине кремния делается несколько лунок, после проявления на каждой из лунок измеряется длина хорды Li, после чего по формуле (2.2) производится пересчет на глубину залегания xji. Принятая глубина залегания xj определяется как усредненное значение от xji.

Диффузионный отжиг проводился в атмосфере воздуха при температурах ниже 1000°С. Это связано с тем, что при более низких температурах диффузии образуется меньше дефектов на полупроводниковой пластине кремния, соответственно увеличится время жизни неосновных носителей тока и, в конечном итоге, коэффициент полезного действия солнечного элемента.

3.1. Разработка и испытание поверхностного источника бора на основе спиртового раствора борной кислоты

Борная кислота (H3BO3) в безводном виде представляет собой безцветное кристаллическое вещество. Для приготовления раствора заданное количество порошка борной кислоты растворяется в этиловом спирте (C2H5OH), процентное содержание H3BO3 в приготовленном растворе составило 5 %.

Полупроводниковые пластины кремния до нанесения слоя диффузанта обезжиривались кипячением в изопропиловом спирте.

Нанесение раствора осуществлялось методом центрифугирования. На практике осуществление этого метода заключается в том, что на пластины кремния, закрепленные на центрифуге, пипеткой наносится раствор, содержащий диффузант. Скорость вращения центрифуги составляет             2750 об/мин. С помощью вращательного движения, сообщаемого пластине центрифугой, достигается большая равномерность получаемого слоя.

После нанесения раствора пластины кремния необходимо высушить, для чего их помещают на нагретую электрическую печь. Это осуществляется для удаления растворителя (в данном случае этилового спирта).

Далее следует диффузионный отжиг в диффузионной печи. Для исследований было взято четыре образца кремния n-типа (111) с ρ = 2 Ом∙см. Диффузионный отжиг проводился в диффузионной печи при температуре 950°С в течение заданного времени. После выдержки на поверхности пластин кремния образовывалась цветная пленка боросиликатного стекла, которая удалялась в слабом растворе плавиковой кислоты.

В табл. 3.1 приведены результаты по исследованию зависимости глубины залегания p – n перехода (xj)  от времени проведения диффузии.

Таблица 3.1.

Зависимость глубины залегания p – n перехода от времени проведения диффузии при использовании  5 % раствора борной кислоты