(10)
В
(11)
(12)
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(13)
Емкость перехода коллектор-база эмиттер – база определим как:
(14)
Ф; (15)
Ф;
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
(16)
А;
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
(17)
[8. стр.20-27]
Расчет параметров транзистора, необходимых для реализации транзистора VT1 в интегральном исполнении, показал что длина эмиттера Ze=144 мкм достаточно велика. Отношение параметров Zе/Re>1, следовательно целесообразно длинную эмитерную полоску разделить на несколько коротких эмиттеров, что и было сделано в ходе разработки топологии ИМС.
Решив неравенство получили, что М=3. Следовательно исходный эмиттер разбиваем на три полоски.
Таблица 3.1.2 Расчетные параметры транзистора КТ805А.
Наименование параметра
Значение
Единица измерения
- коэффициент передачи
9.086E+4
-
- коэффициент инжекции эмиттерного перехода
0.99
- коэффициент переноса
1
-диффузионная длина акцепторов
5.212E-7
см
- диффузионная длина доноров
1.158E-7
-ширина базы
1.2E-6
-инверсный коэффициент передачи
53.642
-площадь эмиттера
3E-6
- площадь базы
2E-5
-коэффициент
0
- обратный ток эмиттера
7.073E-12
A
- обратный ток коллектора
1.626E-11
0.817
0.937
-температурный потенциал
0,026
-емкость перехода коллектор-база
3.354E-11
Ф
- емкость перехода эмиттер-база
1.367E-11
-максимальное напряжение коллектор-база
4.527
- максимальное напряжение эмиттер-база
2.795E-3
- максимальное напряжение эмиттер- коллектор
-омическое сопротивление базы
1.556E-3
Ом
- омическое сопротивление коллектор
1.958
Таблица 3.1.3 Исходные параметры транзистора КТ502Е
значение
hб –глубина залегания р-n перехода база-коллектор
hэ - глубина залегания эмиттерного р-n перехода
0.8
hк- толщина коллекторной области
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области на поверхности
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области у эмиттерного перехода
- поверхностная концентрация акцепторов в базе
- концентрация донорной примеси в коллекторе
- удельное объемное сопротивление коллекторной области
- удельное поверхностное сопротивление пассивной области базы
ð
- удельное поверхностное сопротивление активной области базы
- диффузионная длина дырок в эмиттере
- коэффициент диффузии дырок в эмиттере
- диффузионная длина электронов в базе
- коэффициент диффузии электронов в базе
- диффузионная длина дырок в коллекторе
- коэффициент диффузии дырок в коллекторе
- концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике
- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника
Расчет параметров транзисторов структуры p-n-p практически аналогичен расчету транзисторов структуры n-p-n.
Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2
Длина эмиттера:
;
мкм
Длина базы:
(18)
Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :
(19)
(20)
где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)
Ширина базы составляет :
(21)
где =(0,5 – 2,5) мкм
Коэффициент переноса вычисляется по формуле:
где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,
=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;
Коэффициенты , и высчитываются по формулам :
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13