Приборы полупроводниковые
Термины и определения
ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80)
Физические элементы полупроводниковых приборов
Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) - переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом).
Электронно-дырочный переход (p_n переход, pn_Ubergang, P_N Junction) - электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n_типа, а другая p_типа.
Электронно-электронный переход (n_n+ переход, n_n+_Ubergang, N_N+ junction) - электрический переход между двумя областями полупроводника n_типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Дырочно-дырочный переход (p_p+ переход, p_p+_Ubergang, P_P+ junction) - электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.
Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) - электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.
Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) - электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.
Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) - электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.
Точечный переход (Punktubergang, Point-contact junction) - электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.
Диффузионный переход (Diffundierter Ubergang, Diffused junction) - электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.
Планарный переход (Planarubergang, Planar junction) - диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.
Конверсионный переход (Konversionsubergang, Conversion junction) - электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.
Сплавной переход (Legierter Ubergang, Alloyed junction) - электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.
Микросплавной переход (Mikrolegierter Ubergang, Micro-alloy junction) - сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.
Выращенный переход (Gezogener Ubergang, Grown junction) - электричеcкий переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.
Эпитаксиальный переход (Epitaxieubergang, Epitaxial junction) - электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.
Гетерогенный переход (гетеропереход, Heteroubergang, Heterogenous junction) - электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.
Гомогенный переход (гомопереход, Homogener Ubergang, Homogenous junction) - электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.
Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) - электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
Выпрямляющий переход (Gleichrichterubergang, Rectifying junction) - электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.
Омический переход (Ohmischer Ubergang, Ohmic junction) - электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.
Эмиттерный переход (Emitterubergang, Emitter junction) - электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора.
Коллекторный переход (Kollektorubergang, Collector junction) - электрический переход между базовой и коллекторной областями полупроводникового прибора.
Дырочная область (p_область, Defektelektronengebiet, P_region) - область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью.
Электронная область (n_область, Elektronengebiet, N_region) - область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью.
Область собственной электропроводности (i_область, Eigenleitungsgebiet, Intrinsic region) - область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника.
Базовая область (База, Basisgebiet, Base region) - область полупроводникового прибора, в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда.
Эмиттерная область (Эмиттер, Emittergebiet, Emitter region) - область полупроводникового прибора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область.
Коллекторная область (Коллектор, Kollektorgebiet, Collector region) - область полупроводникового прибора, назначением которой является экстракция носителей из базовой области.
Активная часть базовой области биполярного транзистора (Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Active part of base region) - часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
Пассивная часть базовой области биполярного транзистора (Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Passive part of base region) - часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
Проводящий канал (Kanal, Channel) - область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда.
Исток (Source, Sourse) - электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.
Сток (Drain, Drain) - электрод полевого транзистора, через который из проводящего канала вытекают носители заряда.
Затвор (Gate, Gate) - электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал.
Структура полупроводникового прибора (Структура, Struktur eines Halbleiterbauelementes, Structure) - последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций.
Примечания: 1. Примеры структур полупроводниковых приборов: p-_n; p_n_p; p_i_n; p_n_p_n и др.
2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик.
Структура металл-диэлектрик-полупроводник (Структура МДП, Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur), MIS-Strusture) - структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника.
Структура металл-окисел-полупроводник (Структура МОП, Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur), MOS-Strusture) - структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника.
Мезаструктура (Mesastruktur, Mesa-structure) - структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием.
Обедненный слой (Verarmungsschicht, Depletion layer) - слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизированных доноров и акцепторов.
Запирающий слой (Sperrschicht, Barrier region (layer)) - обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.
Обогащенный слой (Anreicherungsschicht, Enriched layer) - слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизированных доноров и акцепторов.
Инверсный слой (Inversionsschicht, Invertion layer) - слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности
или поля контактов разности потенциалов.
Явления в полупроводниковых приборах
Прямое направление для p_n перехода (Durchlassrichtung des pn_Uberganges, Forward direction of a P_N junction) - направление приложения напряжения, при котором происходит понижение потенциального барьера в p_n переходе. Направление постоянного тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление.
Обратное направление для p-n перехода (Sperrichtung des pn-Uberganges, Reverse direction of а P-N junction) - направление приложения напряжения, при котором происходит повышение потенциального барьера в p-n переходе. Направление постоянного тока, в котором p-n переход имеет наибольшее сопротивление.
Страницы: 1, 2, 3
