Рефераты. Блок контролю та управління пристрою безперебійного живлення ПБЖ-12

Мікросхеми MC74HC240ADW та MC74HC541ADW.

Рисунок 1.15 - Мікросхеми MC74HC240ADW та MC74HC541ADW

Таблиця 1.20 - Технічні характеристики мікросхем

Тип корпуса:

SOIC

Количество выводов:

20

Напруга питания, В

-0.5...7

Входное напруга, В

-0.5. .0.5

Выходное напруга, В

-0.5. .0.5

Ток на входе, мА

20

Ток на выходе, мА

35

Діапазон робочої температури, °С

-65. .150

Мікросхема MC74HC74AD.

Рисунок 1.16 - Мікросхеми MC74HC74AD

Таблиця 1.21 - Технічні характеристики мікросхеми MC74HC74AD

Тип корпуса:

SOIC

Кількість виводів

14

Напруга живлення, В

-0.5...7

Вхідна напруга, В

-0.5. .0.5

Вихідна напруга, В

-0.5. .0.5

Струм на вході, мА

25

Струм на виході, мА

50

Діапазон робочої температури, °С

-65. .150

Мікросхема UC3843BVD1

Мікросхема MC74HC74AD виступає у якості перетворювача напруги.

Рисунок 1.17 - Мікросхема MC74HC74AD

Таблиця 1.22 - Технічні характеристики мікросхеми MC74HC74AD

Входное напруга, В

36

Максимальный выходной ток, мА

200

Входной ток, мА

25

Частота, кГц

52

Мікросхема ATmega8515-16AI

Мікросхемі ATmega8515-16AI є мікроконтролером.

Рисунок 1.23 - Мікросхема ATmega8515-16AI

Таблиця 1.23 - Геометричні параметри мікросхеми ATmega8515-16AI

A

A1

A2

D

D1

E

E1

B

C

L

1.2

0.15

1

12

10

12

10

0.4

0.15

0.6

Таблиця 1.24 - Технічні характеристики мікросхеми ATmega8515-16AI

Корпус:

TQFP44

Швидкість:

8-Bit

Частота, МГц

16

Розмір пам'яті (тип FLASH88)

8KB (8K х 8)

Напруга живлення, В

4.5 .5.5

Діапазон робочої температури, ° C

40. .85

Частота, МГц

16

Мікросхема HIN202IBN

Мікросхема HIN202IBN - це вузол зв'язку.

Рисунок 1.19 - Мікросхема HIN202IBN

Таблиця 1.25 - Технічні характеристики мікросхеми HIN202IBN

Корпус

SOIC16

Робоча напруга, В

5

Діапазон робочої температури, ° C

-40. .85

Струм живлення, мА

8. .15

Резисторна збірка 4605X-101-562.

А=20мм

Рисунок 1.20 - Резисторна збірка 4605X-101-562

Таблиця 1.26 - Технічні характеристики резисторна збірки 4605X-101-562

Опір, Ом

100

Максимальна напруга, В

100

Температурний коефіцієнт, ppm/°C

±100

Діапазон робочої температури, ° C

-55. .125

Дросель B78108-S1103-K

Рисунок 1.21 - Дросель B78108-S1103-K

Таблиця 1.27 - Технічні характеристики мікросхеми дроселя

Індуктивність, мГн

0.1

Допуск на індуктивність

± 10%

Макс опір, Ом

0.49

Постійний струм, мА

680

Резонансні частоти, МГц

35

Діоди BAS32L и BAV102

Рисунок 1.22 - Діод BAV102 и BAV102

Таблиця 1.28 - Геометричні параметри діодів BAV102 и BAV102

D, мм

H, мм

L, мм

1.5

3.5

0.3

Таблиця 1.29 - Технічні характеристики діодів BAV102 и BAV102

BAV102

BAV102

Тип діода:

імпульсний діод

Максимальна постійна зворотня напруга, В:

75

150

Максимальний прямий (випрямлений за напівперіод) струм, А

0.2

0.25

Корпус

SOD80C

SOD80C

Максимальний час зворотного відновлення, мкс

0.004

0.004

Максимальна імпульсна зворотня напруга, В

100

200

Максимально допустимий прямий імпульсний струм, А

0.45

0.625

Максимальний зворотній струм, мкА при 25°С

5

9

Загальна ємність Сд, пФ:

2

2

Робоча температура, С:

-65... 200

-65...175

Спосіб монтажу

SMD

SMD

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.