3.4 Основные параметры биполярных транзисторов
Наименование параметра
Обозначение
Отеч.
Заруб.
Напряжение между выводами транзисторов:
База-Коллектор
База-Эмитор
Коллектор-Эмитор
Uбк
Uкэ
Ubc
Uce
Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор из заданного сопротивления в цепи База-Эмитор
Uкэr
Ucer
Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор при разомкнутой цепи Базы
Uкэо
Uceo
Максимально допустимое постоянное напряжение Коллектор-Эмитор
Uкэ мах
Uce max
Постоянный ток вывода в транзисторы: Базы
Iб
Ib
Эмиторы
Iэ
Ie
Коллекторы
Iк
Ic
Максимально допустимый ток коллектора
Iк мах
Ic max
Обратный ток коллектора
Iкоб
Icr
Обратный ток эмитора
Iэоб
Ier
Коэффициент усиления потоку
h э
hfe
Полевые транзисторы.
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, управляемый электрическим полем, усилительные свойства которого условленны потоком основных носителей, протекающих через проводящие каналы.
Основой полевого транзистора является канал с электропроводимостью N или P типа, созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами. Сопротивлением канала управляет электрод(затвор), соединенный с его средней частью P-N перехода. Электрод, через который проводящий канал втекают носители заряда, через который из канала вытекают носители заряда, называются стоком.
Iис = Ic
Ток полевого транзистора обусловлен носителями заряда только одной полярности:
P- позитив дырки
N- негатив электрона
При подаче запирающего напряжения в затворе сток, объем проводящего канала уменьшается за счет вытеснения основных носителей полем P-N перехода. Чем выше запирающее напряжение, тем меньше ток, протекающий от истока к стоку.
Т.к. входной электрод(P-N переход) постоянно заперт, входное сопротивление транзистора очень высоко.
Существует 2 типа полевых транзисторов, которые различаются принципами управления носителей зарядов.
Эти транзисторы:
- с изолированным затвором(МДП,МОП)
- с управляющим P-N переходом.
МДП и МОП транзисторы называются транзисторами с изолированным затвором, в принципе действия лежит эффект поля, представляющий собой изменения величины и знака электропроводности на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного напряжения .
Транзисторы с изолированным затвором имеют затвор электрич. изолированный от проводящего канала и подразделяются на транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. В зависимости от полярности напряжения приложенного к затвору электропроводность канала полевого транзистора может уменьшаться(при подаче запирающего напряжения) канал работает в режиме обеднения основными носителями или увеличения(канал работает в режиме обогащения).
Входное сопротивление МДП,МОП транзисторов значительно больше чем полевых транзисторов с P-N переходом и составляет МОм и ГОм.
Графическое обозначение транзистора.
Биполярные
Однопереходные транзисторы
- полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с P-каналом и с внутренним соединением подложки и истока.
Классификация системы обозначений транзисторов.
Согласно стандарту ОСТ 11.336.919-81 положено буквенно-числовое обозначение транзисторов:
1. буква или цифра
1 Г - германий и его соединения
2 К - кремний и его соединения
А - галлий и его соединения
И - для соединений И
2. Для обозначения подклассов транзистора:
Т -для биполярных
П -для полевых
3. Цифра
1-маломощные транзисторы
2-маломощные средней частоты
3-маломощныевысокочастотные
4-средней мощности низкочастотные
5-средней мощности среднечастотные
6-средней мощности высокочастотные
7-большой мощности
8-большой мощности средней частоты
9-большой мощности высокочастотные
4. Цифра от 0,1 до 999 номер порядковой разработки
5. Буквы русского алфавита от А до Я, кроме З,О,Ч
6. Классификация по электрическим параметрам транзистора
7. Цифра - обозначает конструктивные особенности транзистора
Примеры:
ГТ101А - германиевый биполярный маломощный низкочастотный, № разработки 01,гр. А
2Т339А-2 - кремниевый биполярный маломощный высокочастотный, №39, гр. А
Стары обозначения до 61 года.
Состоит из 2-х или 3-х элементов.
1-й элемент(буква) П- характеризует класс биполярных транзисторов МП - корпус металлический, способом холодной сварки
2-й элемент (цифра) от 1 до 99
1-99 германиевые маломощные низкочастотные
101-199 кремниевые маломощные низкочастотные
201-299 германиевые мощные низкочастотные
301-399 кремниевые мощные низкочастотные
401-499 германиевые маломощные ВЧ,СВЧ
501-599 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ
601-699 германиевые мощные ВЧ,СВЧ
701-799 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ
3-й элемент. Классификация по параметрам(буква)
Тип транзистора
Расшифровка
Uкэ max.
Iк max
B
? гр
P max
КТ3102А
Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам.
30В
300 мА
350
300мГц
500 мВт
КТ315Б
20 В
100 мА
50-350
270 мГц
150 мВт
КТ812Б
Кремневый, биполярный, большой мощности СЧ, парам.
300 В
8 А
80
6-12 мГц
50 мВт
П609
биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ.
25 В
60
120 мГц
1 Вт
КТ203Б
Кремневый, биполярный, маломощный транзистор, СЧ, парам.
30 В
10 мА
30-90
10 мГц
П416
биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ. Парметр.
15 В
25 мА
90-200
80 мГц
100 мВт
КТ209
Кремневый, биполярный, маломощный СЧ.
45 В
200 мВт
3.5 Интегральная схема
Интегральная микросхема - это микроэлектронное устройство, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигналов соединительных элементов, имеющих высокую плотность, которая с точки зрения требования к испытанию, приемки, постановки и эксплуатаций рассматривается как единое целое. Элемент интегральной микросхемы - это часть интегральной схемы, реализующая функций какого-либо электра-радиоэлемента; эта часть выполняется нераздельно от других частей и не может быть выделена как самостоятельный компонент. Компонент интегральной микросхемы, в отличие, от элемента может быть выделен как самостоятельное изделие.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7