Рефераты. Логические элементы и их электронные аналоги

выполненный на многоэмиттерном (б) и МОП-транзисторах (а)

Логический элемент ИЛИ.

Логическое утверждение «Если А или В истинно, тогда Q истинно»

записывается так А+В=Q, где знак «+» есть символ, обозначающий операцию

ИЛИ. Соответствующая этому определению Функциональная табл. 2. показывает,

что выход получается при наличии любого входного сигнала. Принципиальная

схема двухвходового логического элемента ИЛИ в ТТЛ-исполнении приведена на

рис. 6, а. В соответствии с правилами логического сложения, если на входах

А и В действуют сигналы логических 0, переходы база - эмиттер транзисторов

VT1 и VT4 открыты и через них протекает ток. При этом, очевидно, через

переходы база - коллектор в транзисторах VT1 и VT4 ток не протекает,

вследствие чего закрыты транзисторы VT2 и VT3 и на их общем сопротивлении в

цепи эмиттеров R2 нет падения напряжения, т.е. выходной сигнал Q

соответствует логическому 0. Если на одном из входов А или В действует

сигнал положительной полярности, соответствующий логической 1, то

происходят запирание перехода база — эмиттер транзистора VT1 (или VT4) и

отпирание перехода база — коллектор. Это приводит к отпиранию транзистора

VT2 (или VT3 и появлению на резисторе R2 - на выходе Q — почти полного

напряжения источника питания (за вычетом падения напряжения в несколько

десятых долей вольта на полностью открытом транзисторе VT2 или VT3. При

подаче сигнала 1 на оба входа А и В открываются и оба выходных транзистора

VT2 и VT3, что приводит к некоторому увеличению напряжения на выходе Q.

Таким образом, рассмотренная электронная схема выполняет логическое

сложение ИЛИ.

[pic] [pic]

Рис. 6. Логический элемент ИЛИ, выполненный на биполярных (а) и И МОП-

транзисторах (б)

Логический элемент ИЛИ на МОП-транзисторах может быть выполнен по

схеме, приведенной на рис. 6, б. В этой схеме транзисторы VT1 и VT2

включаются при подаче на их затворы положительного напряжения логической 1

и выключаются, если действует напряжение логического 0. Транзистор VT3

используется вместо резистора и постоянно открыт, что приводит к

потреблению энергии питания, в то время когда открыты транзисторы VT1 и

VT2.

Логический элемент НЕ.

Это операция применяется в случаях, когда требуется иметь

противоположные значения переменной. Противоположное значение переменной

называется дополнением этой переменной Символически для НЕ оно обозначается

чертой над соответствующей переменной величиной: А=Q.

В простейшем случае элемент НЕ инвертор - может быть выполнен на

биполярном (или полевом) транзисторе с общим эмиттером (рис. 7, а). Когда

на входе А действует сигнал 0, транзистор VT тока" не проводит и напряжение

на выходе Q максимально, практически равно напряжению источника питания и

соответствует сигналу 1. Если на входе действует положительное напряжение,

соответствующее сигналу 1, транзистор VT (n - p - n-типа) отпирается,

переходит в режим насыщения и напряжение на выходе Q снижается до уровня

0,1—0,3 В, соответствующее сигналу 0. Таким образом, схема инвертирует

входной сигнал. У рассмотренной схемы НЕ много недостатков: малы

быстродействие и нагрузочная способность и весьма низка помехоустойчивость.

Поэтому на практике используют более сложные схемы. В частности, на рис. 7,

б приведена схема инвертора семейства ТТЛ на основе многоэмиттерного

транзистора VT1. При напряжении логического 0 на входе А создаются условия

для протекания тока в транзисторе VT1 только в цепи перехода эмиттер-база

(на рис. 7, б указаны два параллельно соединенных эмиттера, работающих как

один), а переход коллектор-база закрыт, вследствие чего нет тока в цепи

базы транзистора VT2 и он заперт. При этом на его коллекторе имеется

напряжение, близкое к напряжению источника питания. Это напряжение

действует на базу транзистора VT3, что приводит к его полному отпиранию. В

то же время транзистор VT4 заперт, поскольку на его базу не подается

никакого напряжения, так как транзистор VT2 закрыт, ток через него не

проходит и на резисторе R2 нет напряжения (которое могло бы открыть

транзистор VT4). Таким образом, поскольку транзистор VT3 открыт, а VT4

закрыт, на выходе Q действует положительное напряжение, близкое к

напряжению источника питания, что соответствует логической 1. Если на вход

А подается напряжение логической 1, то переход эмиттер - база транзистора

VT1 запирается, но создаются условия для протекания тока через его переход

коллектор - база и тем самым для протекания тока через базу транзистора

VT2, что приводит к его отпиранию и переходу в режим насыщения. При этом

транзистор VT3 запирается (так как на коллекторе VT2 действует слишком

низкое напряжение), а транзистор VT4 отпирается, так как на его базу

подается с резистора R2 напряжение в положительной полярности. Таким

образом, через малое сопротивление открытого транзистора VT4 выход

соединяется с общей шиной «землей» и напряжение на нем оказывается почти

нулевым и схема работает как инвертор. Диод VD, включенный на вход А,

защищает схему от перегрузки по входу.

Существенно повысить быстродействие инвертора и снизить расход энергии

питания позволяет применение диодов Шоттки, включаемых параллельно переходу

коллектор - база биполярного транзистора (рис. 7, в). Такое соединение

называется транзистором Шоттки и обозначается в электронных схемах, как

показано на рис. 7, в. Среднее время задержки сигналов в логических

элементах ТТЛШ порядка 1,5 нс при средней потребляемой мощности около 20

мВт на один логический элемент.

Применение МОП-транзисторов позволяет почти в 10 раз увеличить число

активных элементов на кристалле интегральной микросхемы и более чем в 103

раз уменьшить потребление энергии питания по сравнению с биполярными

транзисторами. Однако почти в 10—20 раз уменьшается быстродействие (в

первую очередь, из-за больших емкостей на входе и выходе транзисторов и

очень высоких входных сопротивлений).

Инвертор на МОП-транзисторах с n-каналами может быть выполнен по

схеме, приведенной на рис. 8, а. Транзистор VT1, на затвор которого

подается напряжение в отпирающей полярности, выполняет роль резистора

(сопротивление которого может быть сделано любым - в пределах от сотен омов

до сотен кило-омов - в зависимости от технологии изготовления и напряжения

на затворе). Если на входе А действует сигнал 0, то транзистор VT2 закрыт и

напряжение на выходе Q практически равно напряжению источника питания, т.

е. соответствует напряжению логической 1. Когда на вход А действует

положительное напряжение, соответствующее напряжению логической 1, то

транзистор VT2 открывается (его сопротивление при этом составляет всего 300

- 500 Ом) и напряжение на выходе Q становится весьма малым (десятые доли-

единицы вольт), что соответствует логическому 0. Существенное повышение

быстродействия (и снижение потребления энергии питания) достигается при

использовании комплиментарной пары КМОП-транзисторов.

Схема КМОП-инвертора приведена на рис. 8, б. Если на входе А схемы

действует напряжение логического нуля, то транзистор VT1, имеющий р-канал,

полностью открыт, поскольку его затвор при этом соединен с общим проводом и

поэтому на него подается напряжение в отпирающей полярности относительно

истока, соединенного с плюсом источника питания. Транзистор VT2 имеющий n-

канал, заперт, вследствие чего напряжение на выходе Q максимально и

соответствует напряжению логической 1. Когда на вход А подается

положительное напряжение логической 1, то транзистор VT1 запирается, а

транзистор VT2 полностью отпирается, вследствие чего напряжение на входе Q

становится нулевым. Быстродействие этой схемы по сравнению с предыдущей

существенно увеличивается благодаря тому, что заряд-перезаряд паразитных

емкостей происходит через весьма малые сопротивления полностью открытых

транзисторов VT1 и VT2. Потребление энергии питания снижается до уровня

десятых долей микроватта на один элемент потому, что схема потребляет ток,

в сущности, только во время переключения, когда один транзистор

открывается, другой закрывается. В остальное время — при 0 или 1 — всегда

один из транзисторов закрыт и ток от источника питания не потребляется.

[pic]

Рис. 7. Логический элемент НЕ, выполненный на обычном биполярном

транзисторе (а); многоэмиттерном транзисторе с дополнительным

усилителем (б); Транзистор Шоттки и его условное графическое

изображение в электронных схемах (в).

[pic]

Рис. 8. Логический элемент НЕ, выполненный на МОП-

транзисторах с n-каналом (а), комплиментарной паре МОП-

транзисторов с n- и р-каналами (б).

Логический элемент И – НЕ.

Более универсален элемент И-НЕ, позволяющий одновременно с операцией

логического умножения выполнить и отрицание, тем более что в большинстве

случаев это не усложняет схемы. Например, на рис. 9, а приведен МОП-вариант

схемы логического элемента И-НЕ. Транзистор VT1 используется вместо

сопротивления нагрузки и постоянно открыт, ибо на его затвор подается

напряжение в отпирающей полярности. Если на затворы транзисторов VT2 и VT3

поданы напряжения логического 0, то они заперты, тока не проводят и на

выходе Q действует почти полное напряжение питания, т. е. напряжение

Страницы: 1, 2, 3



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.